半導(dǎo)體器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810531388.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108767009B 公開（公告）日 2021-08-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN108767009B 申請(qǐng)公布日 2021-08-31
分類號(hào) H01L29/778;H01L21/335;H01L29/40 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳俊峰;鄧光敏;吳星星 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄧超
地址 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)2幢311-B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。通過在構(gòu)成柵源電容的兩個(gè)極板之間引入具有更高介電常數(shù)的第二介質(zhì)層，增大了該半導(dǎo)體器件的柵源電容，解決了該半導(dǎo)體器件的漏源電容和與該半導(dǎo)體器件級(jí)聯(lián)的其它半導(dǎo)體器件的漏源電容相互失配的問題，不需要在半導(dǎo)體器件的源極和漏極之間并聯(lián)外接電容，能夠降低電路的復(fù)雜度和半導(dǎo)體器件的體積，且能夠提高半導(dǎo)體器件的可靠性，通過在構(gòu)成柵源電容的兩個(gè)場(chǎng)板之間引入高介電常數(shù)材料，可以提高器件的耐靜電能力。