一種半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010265132.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113497137A 公開（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113497137A 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類號(hào) H01L29/778（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄧光敏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)西北區(qū)2幢311-B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，半導(dǎo)體器件包括襯底；位于襯底一側(cè)的多層半導(dǎo)體層，多層半導(dǎo)體層中形成有二維電子氣；位于多層半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的帽層結(jié)構(gòu)，帽層結(jié)構(gòu)消耗位于其下方的二維電子氣；位于帽層結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離多層半導(dǎo)體層一側(cè)的柵極，位于多層半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的源極和漏極，柵極位于源極和漏極之間；柵極包括第一柵極分部和第二柵極分部，第一柵極分部與帽層結(jié)構(gòu)形成歐姆接觸，第二柵極分部與帽層結(jié)構(gòu)形成肖特基接觸，且至少部分第二柵極分部位于第一柵極分部靠近漏極的一側(cè)。通過設(shè)置柵極分別與帽層結(jié)構(gòu)分別形成歐姆接觸和肖特基接觸，保證可以降低半導(dǎo)體器件的柵漏電，同時(shí)提高半導(dǎo)體器件的閾值電壓穩(wěn)定性。