一種壓力傳感器封裝模組
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202120610576.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN215855106U | 公開(公告)日 | 2022-02-18 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN215855106U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-18 |
分類號(hào) | B81B7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;G01L1/00(2006.01)I | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
發(fā)明人 | 于成奇;陳利宏;王悅鋒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州納芯微電子股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王雨 |
地址 | 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道88號(hào)人工智能產(chǎn)業(yè)園C1-501 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種壓力傳感器封裝模組,包括PCB基板、ASIC芯片、MEMS壓力感應(yīng)芯片及MEMS底座;所述ASIC芯片固定連接于所述PCB基板上;所述PCB基板上包括與所述MEMS底座配合設(shè)置的預(yù)置通孔,所述MEMS底座穿過所述預(yù)置通孔貫通所述PCB基板;所述MEMS壓力感應(yīng)芯片設(shè)置于所述MEMS底座上,且與所述ASIC設(shè)置于所述PCB基板的同一側(cè);所述MEMS底座包括接觸通孔,待測(cè)流體通過所述接觸通孔對(duì)所述MEMS壓力感應(yīng)芯片施壓;所述MEMS底座為耐腐蝕底座。本實(shí)用新型簡(jiǎn)化了封裝件的做造工藝,提高了生產(chǎn)效率,降低了耐腐蝕材料的用量,進(jìn)而節(jié)省了成本,提升對(duì)MEMS壓力感應(yīng)芯片的保護(hù)效果。 |
