半導(dǎo)體電阻及磁場(chǎng)感測(cè)系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111406381.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114068814A 公開(kāi)（公告）日 2022-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114068814A 申請(qǐng)公布日 2022-02-18
分類號(hào) H01L49/02（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;G01R33/00（2006.01）I;G01R33/09（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 袁輔德;秦文輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州納芯微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 杜尚蕊
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道88號(hào)人工智能產(chǎn)業(yè)園C1-5F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種半導(dǎo)體電阻及磁場(chǎng)感測(cè)系統(tǒng)，所述半導(dǎo)體電阻應(yīng)用于磁場(chǎng)感測(cè)系統(tǒng)中，包括電阻基板、電阻反應(yīng)層、主電極、至少兩個(gè)子電極和至少三個(gè)電阻摻雜區(qū)；所述電阻反應(yīng)層設(shè)置于所述電阻基板內(nèi)靠近第一表面一側(cè)，所述主電極和所述子電極設(shè)置于所述第一表面上背離所述電阻反應(yīng)層一側(cè)，所述電阻摻雜區(qū)分別設(shè)置于所述電阻反應(yīng)層中靠近所述主電極和所述子電極處；所述至少兩個(gè)子電極配置為，設(shè)置于所述第一表面上相對(duì)所述主電極的不同位置處，且分別與所述電阻摻雜區(qū)、所述電阻反應(yīng)層和所述主電極形成互成角度設(shè)置的至少兩個(gè)子電阻。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體電阻，能夠保證補(bǔ)償效果的前提下，減小參考電阻體積、簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)并減少成本。