類單晶硅錠的制備方法及類單晶硅錠

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911357098.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113026101A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113026101A 申請公布日 2021-06-25
分類號 C30B28/06;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳偉;王萬勝;李林東;王全志;陳志軍;丁云飛 申請（專利權(quán)）人 包頭阿特斯陽光能源科技有限公司
代理機構(gòu) 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 胡彭年
地址 215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)鹿山路199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種類單晶硅錠的制備方法及類單晶硅錠，包括：在坩堝底部鋪設籽晶層形成引晶層；在籽晶層上方裝填硅料至坩堝的1/3至2/3高度之間；將磷合金鋪設至硅料上形成摻雜層；繼續(xù)裝填硅料裝至坩堝頂部；將坩堝裝入鑄錠爐，并將鑄錠爐抽真空且在氬氣保護下加熱使硅料熔化；采用定向凝固法使硅料長晶直至形成類單晶硅錠。本發(fā)明類單晶硅錠的制備方法及類單晶硅錠可保證磷合金全部融化均勻地擴散至硅料中，從而提升類單晶硅錠的品質(zhì)。