晶體硅錠的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911347380.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113026088A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113026088A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 王全志;陳偉;李林東;唐珊珊;陳志軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 包頭阿特斯陽(yáng)光能源科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 胡彭年 |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)鹿山路199號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N晶體硅錠的制備方法，包括在坩堝底部鋪設(shè)單晶籽晶層，所述坩堝內(nèi)形成有第一裝料空間、位于第一裝料空間外周的第二裝料空間；接著，在所述第一裝料空間裝填第一類(lèi)硅料，并在所述第二裝料空間裝填第二類(lèi)硅料，所述第二類(lèi)硅料的最大體積小于第一類(lèi)硅料的平均體積；最后，加熱并經(jīng)定向凝固得到晶體硅錠。通過(guò)在坩堝內(nèi)不同區(qū)域分別裝設(shè)體積不同的第一類(lèi)硅料與第二類(lèi)硅料，使得鄰近坩堝側(cè)壁的區(qū)域具有更多的間隙空間，且所述第二類(lèi)硅料相對(duì)體積與質(zhì)量較小，能夠通過(guò)自身位置移動(dòng)或扭轉(zhuǎn)，有效釋放應(yīng)力，降低坩堝破裂風(fēng)險(xiǎn)。 |
