用于晶體硅鑄錠的籽晶層結(jié)構(gòu)與晶體硅錠的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911253665.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113026092A | 公開（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113026092A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-25 |
| 分類號(hào) | C30B15/36;C30B35/00;C30B29/06 | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 王全志;陳偉;李林東;唐珊珊;陳志軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 包頭阿特斯陽光能源科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 胡彭年 |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)鹿山路199號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于晶體硅鑄錠的籽晶層結(jié)構(gòu)與晶體硅錠的制備方法，所述籽晶層結(jié)構(gòu)包括第一籽晶層、設(shè)置在所述第一籽晶層外側(cè)的第二籽晶層，所述第一籽晶層包括若干緊密排布的方塊籽晶，所述第二籽晶層包括若干貼近所述方塊籽晶設(shè)置的條狀籽晶。本申請(qǐng)通過在第一籽晶層的外周設(shè)置第二籽晶層，所述條狀籽晶與方塊籽晶的接縫在后續(xù)長晶過程中所生成的晶界能夠阻擋自坩堝側(cè)壁成核生長的多晶朝中間區(qū)域延伸生長，提高所述第一籽晶層所對(duì)應(yīng)區(qū)域的單晶占比與硅錠質(zhì)量，且該籽晶層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡潔，易于實(shí)施。 |
