基于QLC NAND閃存的寫操作配置方法、存儲(chǔ)控制器及存儲(chǔ)設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811301413.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109542801A 公開（公告）日 2019-03-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN109542801A 申請(qǐng)公布日 2019-03-29
分類號(hào) G06F12/06（2006.01）I; G06F12/02（2006.01）I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 劉世軍; 于楠; 陳敬滄; 陳剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海百功半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海百功半導(dǎo)體有限公司
地址 201409 上海市奉賢區(qū)奉城鎮(zhèn)新奉公路2011號(hào)1幢2170室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 基于QLC NAND閃存的寫操作配置方法，包括步驟：將QLC NAND存儲(chǔ)單元的16個(gè)電壓區(qū)間采用4比特來(lái)表征，每一個(gè)比特位表征為一個(gè)頁(yè)地址，使QLC NAND具有四個(gè)頁(yè)地址；采用編碼規(guī)則對(duì)16個(gè)電壓區(qū)間中各個(gè)電壓區(qū)間進(jìn)行二進(jìn)制編碼映射，根據(jù)二進(jìn)制編碼映射關(guān)系通過提升存儲(chǔ)電壓到特定的電壓區(qū)間，實(shí)現(xiàn)基于四個(gè)頁(yè)地址映射的多種不同的QLC NAND寫操作；對(duì)多種QLC NAND寫操作進(jìn)行配置，根據(jù)不同的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求選擇匹配的QLC NAND寫操作。本發(fā)明根據(jù)存儲(chǔ)控制器的特點(diǎn)及QLC NAND閃存寫操作特性，提供了一種可以通過在存儲(chǔ)控制器中配置不同的寫操作模式從而可有效地提高存儲(chǔ)設(shè)備中QLC NAND芯片的使用性能的方法，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了最佳數(shù)據(jù)寫入性能的存儲(chǔ)設(shè)備。