散熱集成的電路芯片及其制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910079338.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109671685A | 公開(公告)日 | 2019-04-23 |
申請公布號 | CN109671685A | 申請公布日 | 2019-04-23 |
分類號 | H01L23/367(2006.01)I; H01L23/498(2006.01)I; H01L21/48(2006.01)I; H01L21/60(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 孫海燕; 葛明敏; 趙繼聰; 黃靜; 孫玲; 方家恩; 彭一弘 | 申請(專利權)人 | 成都芯銳科技有限公司 |
代理機構 | 江蘇隆億德律師事務所 | 代理人 | 南通大學; 成都芯銳科技有限公司 |
地址 | 226019 江蘇省南通市崇川區(qū)嗇園路9號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供散熱集成的電路芯片,包括SOI片,SOI片自上而下包括頂層硅、絕緣層及底層硅,SOI片縱向設置多個垂直通孔,垂直通孔貫穿絕緣層及底層硅,各垂直通孔內(nèi)均設置導電導熱柱,導電導熱柱底端裸露于底層硅下表面,垂直通孔內(nèi)側壁設置電學隔離層,至少部分數(shù)量的導電導熱柱端部抵于頂層硅底部,電路芯片還包括制成于頂層硅的集成電路,至少部分導電導熱柱端部與集成電路電學連接。本發(fā)明具有優(yōu)異的散熱性能,可與各種集成電路整合。另一方面,本發(fā)明還提供了上述芯片的制作方法。 |
