一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)以及器件級封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023220627.8 申請日 -
公開（公告）號 CN214270212U 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN214270212U 申請公布日 2021-09-24
分類號 B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 莊瑞芬;李剛 申請（專利權(quán)）人 蘇州敏芯微電子技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215002江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號納米城NW-09樓501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)以及器件級封裝結(jié)構(gòu)，該晶圓級封裝結(jié)構(gòu)包括微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)層和鍵合于微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)層一側(cè)的封裝層；微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)層包括功能空腔和第一焊盤；封裝層包括第一空腔和第二空腔，第一空腔與功能空腔正對，第二空腔與第一焊盤正對；第二空腔的深度大于第一空腔的深度。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案通過設(shè)置第二空腔的深度大于第一空腔的深度，形成第二空腔的封裝層的位置與微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)層的距離較遠(yuǎn)，使得對第二空腔對應(yīng)的封裝層進(jìn)行切割時而不會損傷微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)層，使得晶圓級封裝結(jié)構(gòu)有較高的可靠性，提高微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)層封裝的良率。