MEMS器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110795758.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113460952A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113460952A 申請公布日 2021-10-01
分類號 B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I 分類 微觀結構技術〔7〕;
發(fā)明人 孟燕子;榮根蘭;孫愷;胡維 申請（專利權）人 蘇州敏芯微電子技術股份有限公司
代理機構 北京成創(chuàng)同維知識產權代理有限公司 代理人 蔡純;岳丹丹
地址 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號納米城NW09-501
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種MEMS器件及其制造方法，方法包括：形成第一功能層；在所述第一功能層上形成第一犧牲層；在所述第一犧牲層中形成通孔，所述通孔貫穿所述第一犧牲層；在所述第一犧牲層上形成第二犧牲層，所述第二犧牲層中具有凹槽；在所述第二犧牲層上形成第二功能層，所述第二功能層填充所述第二犧牲層中的凹槽形成防粘結構，其中，所述第一犧牲層采用低密度氧化硅材料，所述第二犧牲層采用高密度氧化硅材料。本申請的MEMS器件的制造方法中，在振膜或背極板靠近空腔的一側表面上形成有防粘結構，該防粘結構采用兩層犧牲層形成，具有更加圓滑的形貌，在振膜發(fā)生大形變時，降低了振膜的應力集中，進而降低了MEMS器件的失效和產品的成本。