一種處理半導(dǎo)體激光器的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110008867.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114724937A 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN114724937A 申請公布日 2022-07-08
分類號 H01L21/268（2006.01）I;H01S5/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單小婷;趙發(fā)展;孫昀;王磊;李博;高見頭;羅家俊;滕瑞 申請（專利權(quán)）人 中國科學(xué)院微電子研究所
代理機構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 -
地址 100029北京市朝陽區(qū)北土城西路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種處理半導(dǎo)體激光器的方法，該方法包括：在半導(dǎo)體激光器的制備過程中，利用預(yù)設(shè)輻照源對半導(dǎo)體激光器進行輻照處理，以提高所述半導(dǎo)體激光器的調(diào)制帶寬，其中，所述輻照源為粒子輻照源。通過在半導(dǎo)體激光器的制備過程中，利用預(yù)設(shè)輻照源對半導(dǎo)體激光器進行輻照處理，從而實現(xiàn)在不影響半導(dǎo)體激光器其他性能的情況下，以更為簡單和低成本的方法，提高半導(dǎo)體激光器的調(diào)制帶寬，有利于優(yōu)化半導(dǎo)體激光器的動態(tài)性能。