一種降低半導(dǎo)體器件高溫關(guān)態(tài)漏電的方法及裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010876479.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112053968B 公開（公告）日 2022-07-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN112053968B 申請(qǐng)公布日 2022-07-08
分類號(hào) H01L21/66（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高林春;曾傳濱;李曉靜;閆薇薇;倪濤;李多力;卜建輝;張顥譯;王可;劉海南;羅家俊;韓鄭生 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 -
地址 100029北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種降低半導(dǎo)體器件高溫關(guān)態(tài)漏電的方法及裝置，方法包括：針對(duì)目標(biāo)器件，獲取目標(biāo)器件在常溫下的第一溫度轉(zhuǎn)移特性曲線以及目標(biāo)器件在目標(biāo)溫度下的第二溫度轉(zhuǎn)移特性曲線；獲取目標(biāo)器件的亞閾值泄漏截止電流對(duì)應(yīng)的第一柵電壓、第一閾值電壓以及亞閾值泄漏截止電流對(duì)應(yīng)的第二柵電壓；確定目標(biāo)器件在目標(biāo)溫度下的目標(biāo)閾值電壓；基于目標(biāo)閾值電壓調(diào)整目標(biāo)器件的阱離子注入濃度；如此，只需基于調(diào)整后的離子注入濃度注入離子即可達(dá)到目標(biāo)閾值電壓；在溫度轉(zhuǎn)移特性曲線上，確保亞閾值泄漏截止電流的截止點(diǎn)落在柵電壓為零處，這樣無(wú)需對(duì)器件結(jié)構(gòu)及工藝流程做出大幅改變即可在確保器件的高溫下的關(guān)態(tài)漏電達(dá)到最低，確保成本。