帶鐵電或負電容材料的器件及其制造方法及電子設(shè)備
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010932029.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112018184B | 公開（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申請公布號 | CN112018184B | 申請公布日 | 2022-07-08 |
| 分類號 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱慧瓏;黃偉興 | 申請（專利權(quán)）人 | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 代理機構(gòu) | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100029北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 公開了一種具有鐵電或負電容材料的納米線/片器件及其制造方法及包括這種納米線/片器件的電子設(shè)備。根據(jù)實施例，半導(dǎo)體器件可以包括：襯底；襯底上與襯底的表面間隔開的納米線/片；圍繞納米線/片的柵電極；在柵電極的側(cè)壁上形成的鐵電或負電容材料層；以及位于納米線/片的相對兩端且與納米線/片相接的源/漏層。 |
