帶開(kāi)放式缺口的兩片式同步整流二極管
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201721876382.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN208336221U | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-01-04 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN208336221U | 申請(qǐng)公布日 | 2019-01-04 |
分類(lèi)號(hào) | H01L25/03;H01L23/31 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李明芬;吳南;呂敏;李聯(lián)勛;馬東平;王鵬;徐明星 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 遼寧芯諾電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 青島發(fā)思特專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 周仕芳;盧登濤 |
地址 | 113007 遼寧省撫順市東洲區(qū)綏化路東段42-2號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了帶開(kāi)放式缺口的兩片式同步整流二極管,包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、內(nèi)置電容,所述第二框架有兩個(gè)外置引腳,第二框架上設(shè)有開(kāi)放式缺口,控制IC芯片固定在第二框架上,內(nèi)置電容的外接線(xiàn)端連接第二框架,內(nèi)接線(xiàn)端位于開(kāi)放式缺口處;第一框架設(shè)有一個(gè)外置引腳,MOSFET芯片固定在第一框架上;所述MOSFET芯片、控制IC芯片、內(nèi)置電容之間通過(guò)鍵合線(xiàn)連接。帶開(kāi)放式缺口的兩片式同步整流二極管,優(yōu)化了結(jié)構(gòu),整合PAD可利用面積,排除了易造成不良的結(jié)構(gòu)缺陷。 |
