生長納米級氣泡的方法及其觀察并控制裝置與方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200510111757.9 申請日 -
公開（公告）號 CN1987414A 公開（公告）日 2007-06-27
申請公布號 CN1987414A 申請公布日 2007-06-27
分類號 G01N13/00(2006.01);G01N1/28(2006.01);C25B1/00(2006.01) 分類 測量；測試;
發(fā)明人 張立娟;胡鈞;方海平;樊春海;張益;沈廣霞 申請（專利權(quán)）人 上海中興科源環(huán)?？萍加邢薰?/a>
代理機構(gòu) 上海智信專利代理有限公司 代理人 中國科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所;上海中興科源環(huán)?？萍加邢薰?/td>
地址 201800上海市嘉定區(qū)嘉羅公路2019號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種生長納米級氣泡的方法，其采用電化學(xué)方法，以疏水的、表面粗糙度不超過10納米的導(dǎo)電材料為工作電極，同時作為生長納米氣泡的基底，并控制電壓至少為0.7V的正壓或負壓，反應(yīng)時間為1秒～2.5小時。本發(fā)明也公開了一種觀測并控制上述生長納米級氣泡的裝置和方法。本發(fā)明方法可以產(chǎn)生某一單體成分的納米級氣泡，具有很好重現(xiàn)性，操作簡便；而且，通過改變電壓和反應(yīng)時間可以控制納米氣泡的大小和數(shù)量。