生長(zhǎng)納米級(jí)氣泡的方法及其觀察并控制裝置與方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200510111757.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN1987414B 公開(kāi)（公告）日 2011-04-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN1987414B 申請(qǐng)公布日 2011-04-20
分類號(hào) G01N13/00(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I;C25B1/00(2006.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 張立娟;胡鈞;方海平;樊春海;張益;沈廣霞 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海中興科源環(huán)?？萍加邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) 上海智信專利代理有限公司 代理人 中國(guó)科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所;上海中興科源環(huán)保科技有限公司
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法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種生長(zhǎng)納米級(jí)氣泡的方法，其采用電化學(xué)方法，以疏水的、表面粗糙度不超過(guò)10納米的導(dǎo)電材料為工作電極，同時(shí)作為生長(zhǎng)納米氣泡的基底，并控制電壓至少為0.7V的正壓或負(fù)壓，反應(yīng)時(shí)間為1秒～2.5小時(shí)。本發(fā)明也公開(kāi)了一種觀測(cè)并控制上述生長(zhǎng)納米級(jí)氣泡的裝置和方法。本發(fā)明方法可以產(chǎn)生某一單體成分的納米級(jí)氣泡，具有很好重現(xiàn)性，操作簡(jiǎn)便；而且，通過(guò)改變電壓和反應(yīng)時(shí)間可以控制納米氣泡的大小和數(shù)量。