晶體硅熱氧化工藝、系統(tǒng)及晶體硅太陽能電池熱氧化工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810066451.3 申請日 -
公開（公告）號 CN108417474B 公開（公告）日 2021-12-21
申請公布號 CN108417474B 申請公布日 2021-12-21
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 譚鑫;周公慶;劉愛民 申請（專利權(quán)）人 錦州陽光能源有限公司
代理機構(gòu) 沈陽友和欣知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊群
地址 121000 遼寧省錦州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)西海工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種晶體硅熱氧化工藝、系統(tǒng)及晶體硅太陽能電池熱氧化工藝，晶體硅熱氧化工藝包括以下步驟：將硅片放置于紫外臭氧腔室內(nèi)；向紫外臭氧腔室內(nèi)通入攜帶有水蒸氣的二氧化氮與氧氣的混合氣，紫外臭氧腔室內(nèi)的氧氣在紫外線的促進下轉(zhuǎn)化為臭氧和游離氧；在150?160℃的溫度下，在水蒸氣、二氧化氮、臭氧和游離氧的共同促進下，硅片表面生成二氧化硅氧化層。該方法工藝簡單、耗時短、成本低、晶體硅鈍化效果佳。