鑄錠單晶硅或多晶硅中可重復(fù)利用的石墨坩堝及使用方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011160638.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112144118A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112144118A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-29 |
| 分類號(hào) | C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 高文秀;趙百通 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 宜興市昱元能源裝備技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫智麥知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 宜興市昱元能源裝備技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司 |
| 地址 | 214000江蘇省無(wú)錫市宜興經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)文莊路8號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種鑄錠單晶硅或多晶硅中可重復(fù)利用的石墨坩堝，包括底板，所述底板包括一上側(cè)面；兩個(gè)第一豎板，兩個(gè)所述第一豎板設(shè)于所述上側(cè)面的兩個(gè)相對(duì)側(cè)邊上；兩個(gè)第二豎板，兩個(gè)所述第二豎板設(shè)于所述上側(cè)面的另外兩個(gè)相對(duì)側(cè)邊上；若干個(gè)冷卻構(gòu)件，設(shè)于所述第一豎板與所述底板之間的直角外部、設(shè)于所述第二豎板與所述底板之間的直角外部、設(shè)于所述第一豎板與所述第二豎板之間的直角外部。本發(fā)明石墨坩堝經(jīng)表面涂層處理后，可直接裝鑄錠用高純度硅料進(jìn)行鑄錠多晶硅或鑄造單晶硅，代替目前傳統(tǒng)使用的石英坩堝，提高熱效率，降低光伏硅中的氧含量，節(jié)約材料資源，縮短工藝流程，同時(shí)也大大地降低了光伏產(chǎn)業(yè)鏈中的鑄硅錠成本。?? |
