一種半導(dǎo)體激光器芯片及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410049547.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103811992A 公開（公告）日 2014-05-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN103811992A 申請(qǐng)公布日 2014-05-21
分類號(hào) H01S5/042(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廉鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 馬鞍山思派科創(chuàng)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廉鵬;馬鞍山思派科創(chuàng)科技有限公司
地址 100102 北京市朝陽區(qū)望京花園東區(qū)213樓2201號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體激光器芯片及其制造方法，其中一種半導(dǎo)體激光器芯片包括：自下而上依次為N面散熱結(jié)構(gòu)、N面電極、N區(qū)外延層、有源區(qū)、P區(qū)外延層、P面電極和P面散熱結(jié)構(gòu)，所述N面電極通過生長襯底的轉(zhuǎn)換方式形成。本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器芯片制造方法過程中，生長襯底能夠重復(fù)利用，降低生產(chǎn)成本，其中生長襯底的As不會(huì)帶入半導(dǎo)體激光器制備的后續(xù)工藝流程，降低工業(yè)廢水的污染治理成本；避免了可能導(dǎo)致機(jī)械損傷的研磨過程，進(jìn)而提高了半導(dǎo)體激光器的質(zhì)量可靠性，使得其具有明顯的技術(shù)先進(jìn)性和良好的經(jīng)濟(jì)效益。