一種復(fù)合空穴傳輸層及包含其的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910525362.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112103392A 公開(kāi)（公告）日 2020-12-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN112103392A 申請(qǐng)公布日 2020-12-18
分類號(hào) H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊田;唐澤國(guó) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京宏泰創(chuàng)新科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)榮華南路9號(hào)院2號(hào)樓11層1101-2室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)合空穴傳輸層，包括Spiro?TTB層和無(wú)機(jī)空穴傳輸材料層，所述無(wú)機(jī)空穴傳輸材料為氧化鎳或硫化錳。本發(fā)明還公開(kāi)了采用本發(fā)明的復(fù)合空穴傳輸層作為空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及硅/鈣鈦礦疊層太陽(yáng)能電池。