電致發(fā)光器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811540228.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109599508B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109599508B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-30 |
| 分類號(hào) | H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張孟;李霞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 嘉興納鼎光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 葉蕙;王鋒 |
| 地址 | 314000浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)雙聯(lián)路128號(hào)3號(hào)創(chuàng)業(yè)樓3樓東 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種電致發(fā)光器件的制備方法，包括：通過(guò)霧化沉積的方式制備空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層及電子傳輸層中的任意一種或多種，其中，制備空穴傳輸層具體包括：將空穴傳輸層墨水霧化后，通過(guò)沉積方式經(jīng)掩模版沉積后，固化成膜；制備量子點(diǎn)發(fā)光層具體包括：將量子點(diǎn)墨水霧化后，通過(guò)沉積方式經(jīng)掩模版沉積后，固化成膜；制備電子傳輸層具體包括：將電子傳輸層墨水霧化后，通過(guò)沉積方式經(jīng)掩模版沉積后，固化成膜。本發(fā)明的電致發(fā)光器件的制備方法，利用霧化沉積方式制備空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層及電子傳輸層中的任意一種或多種，與掩模版相配合來(lái)實(shí)現(xiàn)空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層及電子傳輸層的像素化，實(shí)現(xiàn)高像素顯示，像素可達(dá)1000PPI。?? |
