半導體納米晶體及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811016576.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108822856B 公開（公告）日 2021-11-30
申請公布號 CN108822856B 申請公布日 2021-11-30
分類號 C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00 分類 染料；涂料；拋光劑；天然樹脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應用;
發(fā)明人 張孟;李霞;張超 申請（專利權）人 嘉興納鼎光電科技有限公司
代理機構 南京利豐知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 王鋒
地址 315000 浙江省寧波市寧?？h橋頭胡街道鳳山路218號（資助申報）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種半導體納米晶體的制備方法，包括：提供至少包含第一陽離子前驅體、第二陽離子前驅體的陽離子前驅體溶液；提供至少包含陰離子前驅體的陰離子前驅體溶液；將所述陽離子前驅體溶液與所述陰離子前驅體溶液混合反應，獲得半導體納米晶體。較之現(xiàn)有技術，本發(fā)明公開的半導體納米晶體的制備方法，擺脫了斯托克斯位移小的缺陷，有效提升了半導體納米晶體的效率并減少了能耗；同時簡化了制備步驟，僅通過一次投料的單個過程即可獲得目標半導體納米晶體，促進了工業(yè)化的進展。