一種用于薄片化雙面電池的背面氮化硅疊層膜的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910650900.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111584665A | 公開（公告）日 | 2020-08-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111584665A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-25 |
| 分類號(hào) | H01L31/056(2014.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊露;劉大偉;倪玉鳳;張?zhí)旖?宋志成 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 國(guó)家電投集團(tuán)西安太陽能電力有限公司西寧分公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 國(guó)家電投集團(tuán)西安太陽能電力有限公司;國(guó)家電投集團(tuán)西安太陽能電力有限公司西寧分公司;青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司;國(guó)家電投集團(tuán)黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司;黃河水電西寧太陽能電力有限公司 |
| 地址 | 710099陜西省西安市航天基地東長(zhǎng)安街589號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本專利提供了一種適用于薄片化雙面電池的背面氮化硅疊層膜的制備方法，其特征在于，在電池背面沉積SiNx薄膜步驟中沉積至少2層SiNx薄膜；所述電池背面沉積的SiNx薄膜是由不同折射率、不同厚度的SiNx薄膜周期性排列形成的疊層膜結(jié)構(gòu)；所述SiNx薄膜的厚度為10?100nm，折射率為1.5?2.2，沉積時(shí)間為100?600s。本發(fā)明的SiNx疊層膜是采用PECVD方法制備，通過改變SiH4和NH3的流量大小及沉積時(shí)間獲得不同折射率和不同厚度的SiNx膜層，從而調(diào)控其光子帶隙中心波長(zhǎng)的位置，反射特定波長(zhǎng)的光。本發(fā)明通過采用背面SiNx疊層膜形式，增加背面長(zhǎng)波光的反射率，有效提升了光吸收率，對(duì)短路電流有明顯的增益，提高了電池的轉(zhuǎn)換效率。?? |
