一種叉指型背接觸太陽電池結(jié)構(gòu)及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910635917.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111613688A | 公開（公告）日 | 2020-09-01 |
| 申請公布號 | CN111613688A | 申請公布日 | 2020-09-01 |
| 分類號 | H01L31/068(2012.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高嘉慶;宋志成;郭永剛;屈小勇;吳翔;馬繼奎;張博 | 申請（專利權(quán)）人 | 國家電投集團(tuán)西安太陽能電力有限公司西寧分公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海精晟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 國家電投集團(tuán)西安太陽能電力有限公司;國家電投集團(tuán)西安太陽能電力有限公司西寧分公司;青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司;國家電投集團(tuán)黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司;黃河水電西寧太陽能電力有限公司 |
| 地址 | 710099陜西省西安市航天基地東長安街589號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本專利提供了一種叉指型背接觸太陽電池結(jié)構(gòu)及其制造方法，包括N型單晶硅片為基體，所述單晶硅片前表面設(shè)置有硼摻雜層，所述單晶硅片前表面硼摻雜層上設(shè)置有AL2O3鈍化層，在所述單晶硅片前表面AL2O3鈍化層上設(shè)置有SiNx減反射層；所述單晶硅片背表面場為磷摻雜層，所述單晶硅片背面發(fā)射極為硼摻雜層，所述單晶硅片背表面設(shè)置有SiO2鈍化層，所述單晶硅片背面發(fā)射極表面設(shè)置有AL2O3鈍化層，所述單晶硅片背面場表面設(shè)置有SiNx鈍化層，電池前表面采用FFE浮動結(jié)結(jié)構(gòu)在有效降低表面載流子復(fù)合的同時可提供背表面場的寬度比例，降低工藝難度；可有效降低電池正反面的少子復(fù)合率，進(jìn)而提升電池轉(zhuǎn)換效率。?? |
