發(fā)光二極管襯底的剝離方法及發(fā)光二極管陣列

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011450285.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112582506B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN112582506B 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L33/00;H01L27/15;H01L33/48 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 韋冬;李慶;于波;趙柯 申請（專利權(quán)）人 蘇州禾裕融資租賃有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 常偉
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)通園路666號B幢2樓2007
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管襯底的剝離方法及發(fā)光二極管陣列，剝離方法包括：提供襯底，在所述襯底生長犧牲層，在所述犧牲層的表面生長發(fā)光二極管器件；提供輔助基板；涂布鍵合膠至所述輔助基板的周邊或者所述襯底的周邊；于氮?dú)馇皇抑?，鍵合所述襯底和所述輔助基板，使得所述襯底、所述輔助基板以及所述鍵合膠共同限定出的密閉空間內(nèi)充滿氮?dú)?；以及激光照射并穿過所述襯底，使所述犧牲層熱解，所述襯底和所述發(fā)光二極管器件分離。