微LED芯片及其封裝方法、電子裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110774892.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113257964B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN113257964B 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L33/00;H01L33/38;H01L33/62 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李慶;于波;韋冬 申請（專利權(quán)）人 蘇州禾裕融資租賃有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 常偉
地址 215000 江蘇省蘇州市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)02幢512室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供微LED芯片、電子裝置及其封裝方法，封裝方法包括：提供第一襯底，所述第一襯底上設(shè)有若干微LED芯片結(jié)構(gòu)，任意相鄰的微LED芯片結(jié)構(gòu)之間間隔第一間距；提供第二襯底，所述第二襯底一側(cè)的表面上設(shè)有結(jié)合層；鍵合若干微LED芯片結(jié)構(gòu)和所述結(jié)合層；激光照射第一襯底，轉(zhuǎn)移若干微LED芯片結(jié)構(gòu)至所述結(jié)合層遠(yuǎn)離所述第二襯底一側(cè)的表面，所述結(jié)合層上的任意相鄰的微LED芯片結(jié)構(gòu)之間間隔第二間距，且所述第二間距大于所述第一間距；以及于所述第二襯底上形成擴(kuò)展電極，所述擴(kuò)展電極連接于所述微LED芯片結(jié)構(gòu)的器件電極。