一種半導(dǎo)體激光加工方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110245825.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113066717A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號(hào) CN113066717A 申請公布日 2021-07-02
分類號(hào) H01L21/285;H01L21/768;H01L23/552;B23K26/362 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫德瑞 申請（專利權(quán)）人 山東傲天環(huán)?？萍加邢薰?/a>
代理機(jī)構(gòu) 北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 葉宇
地址 250000 山東省濟(jì)南市歷下區(qū)華能路38號(hào)匯源大廈1506
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體激光加工方法。本發(fā)明利用前道工序進(jìn)行兩個(gè)硅襯底芯片的混合鍵合，鍵合面上包括金屬硅化物區(qū)，該金屬硅化物區(qū)與硅材料具有更好的鍵合效果，且金屬硅化物同時(shí)充當(dāng)歐姆接觸件和電磁屏蔽層。特別的，金屬硅化物區(qū)采用激光局部掃描形成，形成的電磁屏蔽層嵌入于硅襯底中，便于鍵合和保證屏蔽的穩(wěn)定性。