一種用于智能功率模塊的封裝基板及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110227954.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112928031A | 公開(公告)日 | 2021-06-08 |
申請公布號 | CN112928031A | 申請公布日 | 2021-06-08 |
分類號 | H01L21/48;H01L23/498 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 孫德瑞 | 申請(專利權(quán))人 | 山東傲天環(huán)保科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京華際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 葉宇 |
地址 | 250000 山東省濟南市歷下區(qū)華能路38號匯源大廈1506 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種用于智能功率模塊的封裝基板的制備方法,該方法包括以下步驟:在承載基板上形成第一重新布線層,在所述第一重新布線層上形成交替堆疊設(shè)置的有機介電層和無機介電層,接著形成第一開孔和第二開孔,接著在所述第一開孔中形成電容下電極層、電容介質(zhì)層、第一金屬導(dǎo)電薄膜以及第一金屬凸塊,在所述第二開孔中形成第二金屬凸塊,接著在所述第一開孔中形成第一有機導(dǎo)電體并在所述第二開孔中形成第二有機導(dǎo)電體,其中,所述第一金屬導(dǎo)電薄膜、第一金屬凸塊以及第一有機導(dǎo)電體組成電容上電極層,所述第二金屬凸塊和所述第二有機導(dǎo)電體組成導(dǎo)電通孔;接著形成第二重新布線層。 |
