一種芯片結構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110007479.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112838013A 公開（公告）日 2021-05-25
申請公布號 CN112838013A 申請公布日 2021-05-25
分類號 H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫德瑞 申請（專利權）人 山東傲天環(huán)?？萍加邢薰?/a>
代理機構 北京華際知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 葉宇
地址 250000 山東省濟南市歷下區(qū)華能路38號匯源大廈1506
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種芯片結構及其制造方法。本發(fā)明的芯片結構利用在其側面上形成外露的犧牲電極來保護其用于外電連接的電極焊盤，其使得電極焊盤的材料的氧化還原電位高于犧牲電極的材料的氧化還原電位，能夠在水氧的環(huán)境下先消耗犧牲電極材料，保護電極焊盤材料。并且，犧牲電極通過種子層與電極焊盤一一弱電連接，以此保證犧牲電極和電極焊盤的初始電位相同，能夠進一步保護電極焊盤。