硅片的濕法蝕刻方法和裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210325636.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114724948A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114724948A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/3213（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 梁兆龍;王國(guó)峰 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 青島惠芯微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市百瑞專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 266200山東省青島市即墨區(qū)北安街道辦事處太吉路1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種硅片的濕法蝕刻方法和裝置，步驟包括，將表面形成有金屬膜層的硅片浸入金屬蝕刻液中；等待反應(yīng)預(yù)設(shè)時(shí)間，將反應(yīng)后的硅片提離金屬蝕刻液；重復(fù)將反應(yīng)后的硅片浸入金屬蝕刻液中，并等待反應(yīng)預(yù)設(shè)時(shí)間，將反應(yīng)后的硅片提離金屬蝕刻液，直至硅片表面的金屬膜層蝕刻完成。通過(guò)上述步驟，將硅片反復(fù)的上下拋動(dòng)，保證了每個(gè)硅片的速度是相同的，相對(duì)于旋轉(zhuǎn)硅片，不會(huì)出現(xiàn)靠近旋轉(zhuǎn)中心的硅片的速度小，而遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)中心的硅片的速度大，保證硅片蝕刻均勻性，也避免硅片因?yàn)樗俣冗^(guò)大而破損，且把硅片提離液位的方式，將硅片表面殘留的生成物帶走，避免生成物附著在硅片的表面，阻止蝕刻反應(yīng)的進(jìn)行，提高反應(yīng)效率。 |
