一種芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110290554.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114361028A 公開（公告）日 2022-04-15
申請公布號(hào) CN114361028A 申請公布日 2022-04-15
分類號(hào) H01L21/329（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 史仁先;王國峰 申請（專利權(quán)）人 青島惠芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 邢濤
地址 266200山東省青島市即墨區(qū)北安街道辦事處太吉路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種芯片及其制作方法，所述芯片的制作方法包括：分別將高純單晶硅片的其中一面進(jìn)行拋光處理，以及將低純單晶硅片的其中一面進(jìn)行拋光處理；將所述高純單晶硅片的拋光面和所述低純單晶硅片的拋光面對準(zhǔn)預(yù)鍵合以形成預(yù)鍵合硅片，并將所述預(yù)鍵合硅片置于鍵合腔室內(nèi)部以形成鍵合硅片；對所述鍵合硅片的高純單晶硅片面進(jìn)行拋光處理，并在拋光處理后的所述高純單晶硅片面上依次形成外延層和功能器件。本申請利用低純單晶硅片作為犧牲層，得以減小整個(gè)高純單晶硅片的厚度，極大地降低了高純單晶硅片和芯片的材料成本。