芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110289994.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114361237A 公開（公告）日 2022-04-15
申請公布號 CN114361237A 申請公布日 2022-04-15
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 史仁先;王國峰 申請（專利權(quán)）人 青島惠芯微電子有限公司
代理機構(gòu) 深圳市百瑞專利商標事務所（普通合伙） 代理人 邢濤
地址 266200山東省青島市即墨區(qū)北安街道辦事處太吉路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了芯片及其制作方法，所述芯片包括依次堆疊設(shè)置的硅片、外延層和勢壘層，所述硅片的其中一面上設(shè)有溝槽，所述外延層和勢壘層設(shè)置在所述硅片中設(shè)有溝槽的一面上，且覆蓋所述溝槽；所述勢壘層、勢壘層正下方的外延層形成勢壘區(qū)。本申請通過在硅片的表面設(shè)置溝槽，使得勢壘區(qū)的面積增大，進而使得勢壘區(qū)可以承受的電流密度增加，導致芯片的正向壓降降低，這樣在相同的芯片尺寸下，本申請由于正向壓降較低就有了明顯的優(yōu)勢，使得產(chǎn)品競爭力得到了提高。