一種適于RFID的開關(guān)電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201510133902.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN104796126A | 公開(公告)日 | 2015-07-22 |
申請公布號 | CN104796126A | 申請公布日 | 2015-07-22 |
分類號 | H03K17/687(2006.01)I;H03K17/04(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 吳勁;李仕仁;曾圣勇;黃海娜;陳天維 | 申請(專利權(quán))人 | 佛山市中澤自動識別技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 | 代理人 | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
地址 | 528000 廣東省佛山市南海區(qū)桂城街道平洲永安北路1號金谷光電產(chǎn)業(yè)社區(qū)A座第四層405單元 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種適于RFID的開關(guān)電路,包括:P型MOS管P1、P型MOS管P2、P型MOS管P3、電容Cs、N型MOS管N1、N型MOS管N2、N型MOS管N3、N型MOS管N4、N型MOS管N5,N型MOS管N6,N型MOS管N7,其中:P1和N1的柵極接收控制信號Clks的輸入,N2和N7的柵極接收控制信號Clksb的輸入;N5柵極連接著N4、N3、N6、P2、P3,N5源級漏級的一端連接著N4,由N5的源級漏級形成一個(gè)自舉開關(guān)。本發(fā)明實(shí)施例的開關(guān)通過提高柵壓來減小開關(guān)的導(dǎo)通電阻,從而減小時(shí)間延遲,提高轉(zhuǎn)換速度。 |
