碳化硅溝槽柵晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021271284.5 申請日 -
公開（公告）號 CN212848410U 公開（公告）日 2021-03-30
申請公布號 CN212848410U 申請公布日 2021-03-30
分類號 H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔京京;章劍鋒;黃玉恩 申請（專利權(quán)）人 瑞能半導體科技股份有限公司
代理機構(gòu) 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 代理人 杜立健
地址 330052江西省南昌市南昌縣小藍經(jīng)濟開發(fā)區(qū)小藍中大道346號16棟北面一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種碳化硅溝槽柵晶體管。碳化硅溝槽柵晶體管包括：依次層疊的襯底層、第一外延層、第二外延層；第一溝槽，貫穿第二外延層，并且底部延伸到第一外延層中；第二溝槽，貫穿第二外延層，并且底部延伸到第一外延層中，第二溝槽與第一溝槽隔開間隔，并且第二溝槽圍繞第一溝槽形成；在第一溝槽與第二溝槽之間的述第二外延層形成有源極接觸區(qū)和基極接觸區(qū)，第一溝槽的內(nèi)表面配置有絕緣介質(zhì)膜，并填充有導電介質(zhì)，第二溝槽中填充有絕緣介質(zhì)，在第一外延層中的第二溝槽的底部周圍形成有第二導電類型的擴展區(qū)域。根據(jù)上述碳化硅溝槽柵晶體管，可以降低溝槽柵晶體管的柵介質(zhì)層所承受的電場強度，同時不會較大影響晶體管的正向電流導通能力。??