碳化硅MOSFET半導(dǎo)體器件及制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210659847.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114744049A 公開（公告）日 2022-07-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN114744049A 申請(qǐng)公布日 2022-07-12
分類號(hào) H01L29/786（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L27/07（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔京京;章劍鋒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 -
地址 330052江西省南昌市南昌縣小藍(lán)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)小藍(lán)中大道346號(hào)16棟北面一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種碳化硅MOSFET半導(dǎo)體器件及制作方法，其特征在于，包括：襯底層，外延層，阱區(qū)，第一金屬層。阱區(qū)包括第一阱區(qū)、第二阱區(qū)和第三阱區(qū)，第一阱區(qū)與第二阱區(qū)之間設(shè)置間隔區(qū)，第一阱區(qū)和第二阱區(qū)為第二導(dǎo)電類型，間隔區(qū)為具有第二摻雜濃度的第一導(dǎo)電類型，且第一摻雜濃度小于第二摻雜濃度，第三阱區(qū)為具有第三摻雜濃度的第一導(dǎo)電類型，第三阱區(qū)設(shè)置在第一阱區(qū)背離間隔區(qū)的一側(cè)以及第二阱區(qū)背離間隔區(qū)的一側(cè)。第一金屬層位于阱區(qū)上，第一金屬層至少覆蓋間隔區(qū)，第一金屬層與間隔區(qū)之間形成歐姆接觸。本申請(qǐng)實(shí)施例能夠有效降低碳化硅MOSFET晶體管的反向?qū)▔航?，減少體二極管反向恢復(fù)時(shí)間，同時(shí)具備較低的制作成本。