碳化硅溝槽柵晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210651597.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114725219A 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN114725219A 申請公布日 2022-07-08
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔京京;章劍鋒 申請（專利權(quán)）人 瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 -
地址 330052江西省南昌市南昌縣小藍(lán)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)小藍(lán)中大道346號16棟北面一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種碳化硅溝槽柵晶體管及其制造方法，涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。碳化硅溝槽柵晶體管包括：碳化硅襯底，碳化硅襯底包括第一表面；第一表面上設(shè)置有第一摻雜類型的外延層；外延層內(nèi)埋置有多個間隔設(shè)置的第二摻雜類型的體區(qū)；體區(qū)包括底部區(qū)域以及與底部區(qū)域的一端連接的側(cè)部區(qū)域；形成于外延層遠(yuǎn)離第一表面的表面上的多個柵極溝槽結(jié)構(gòu)、多個源極溝槽結(jié)構(gòu)、多個平面柵極結(jié)構(gòu)以及多個阱區(qū)；在靠近柵極溝槽結(jié)構(gòu)側(cè)面的阱區(qū)內(nèi)以及位于源極溝槽結(jié)構(gòu)外側(cè)的阱區(qū)內(nèi)形成第一摻雜類型的第二摻雜區(qū)。根據(jù)本申請實施例，能夠降低導(dǎo)通電阻，從而減少芯片面積和降低芯片成本。