一種降低Grinding過程Dimple率的自凈化方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210227627.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114758950A 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN114758950A 申請公布日 2022-07-15
分類號 H01L21/304（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;B24B7/22（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉姣龍;蔣文斌;李蘇峰;鄧歡;武衛(wèi);劉建偉 申請（專利權(quán)）人 中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州高專知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 214200江蘇省無錫市宜興經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東氿大道
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種降低Grinding過程Dimple率的自凈化方法，其自凈化方法包括以下步驟：S1、首先準(zhǔn)備好需要進(jìn)行加工的硅片材料備用，并且通過Table釋放真空產(chǎn)生吸力，將需要加工的硅片吸附到其表面上，并且通過采用磨輪從上面進(jìn)行實(shí)時研磨凈化硅片。S2、然后在研磨凈化的過程中，可根據(jù)實(shí)際研磨凈化的需要，通過人員對Table轉(zhuǎn)速進(jìn)行實(shí)時調(diào)節(jié)，使得Table的轉(zhuǎn)速調(diào)整降至最低，進(jìn)而有效的降低離心力的影響，避免因?yàn)檫吘墴o陶瓷孔，邊緣雜質(zhì)不容易被排除且邊緣Dimple問題對后道影響更大，導(dǎo)致后道更難修復(fù)。本發(fā)明通過以上凈化方式的優(yōu)化，即可大浮動降低減薄Grinding過程的Dimple率，還可以避免Grinding過程Dimple位于邊緣的問題，避免硅片因納米形貌不良造成報廢、提高產(chǎn)品良率。