獲取硅單晶最佳拉速以制備高BMD密度12英寸外延片的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210364769.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114737251A 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN114737251A 申請公布日 2022-07-12
分類號 C30B29/06（2006.01）I;C30B15/04（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I;C30B30/04（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I;C30B23/02（2006.01）I;C30B25/20（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 黃飛;周迎朝;武衛(wèi) 申請（專利權(quán)）人 中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司
代理機構(gòu) 蘇州高專知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 214200江蘇省無錫市宜興經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)東氿大道
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種獲取硅單晶最佳拉速以制備高BMD密度12英寸外延片的方法，該方法在拉制單顆單晶的過程中逐步降低拉晶速率，通過比較不同速率下拉制的單晶外延片熱處理后的BMD密度來確定適合的拉晶速率。該實驗工藝包括以下步驟：S1、首先采用直拉法在磁場下逐步降低拉晶速率制備12英寸重摻硼硅單晶棒；S2、然后將單晶棒依次進行線切、倒角、減薄、拋光、清洗處理，得到拋光片；S3、在拋光片表面外延生長單晶硅；S4、對不同拉速下得到的單晶的拋光片和以其為襯底制備的外延片進行熱處理；S5、測量熱處理后拋光片和外延片的BMD密度，并通過對比和分析得出實驗結(jié)果。