一種可控制硅單晶的體微缺陷密度的單晶爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123017512.3 申請日 -
公開（公告）號 CN216947284U 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN216947284U 申請公布日 2022-07-12
分類號 C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 袁長宏;婁中士;李鵬飛;田旭東;李振;閆鵬飛;沙志強(qiáng);張凈源;周宏邦;賈海洋;王淼;張強(qiáng) 申請（專利權(quán)）人 中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 010070內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)寶力爾街15號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種可控制硅單晶的體微缺陷密度的單晶爐，在單晶爐的爐體內(nèi)配設(shè)有用于監(jiān)控已拉出硅單晶等徑段的溫度梯度的測溫裝置以及用于調(diào)控所述等徑段溫度梯度的調(diào)控裝置，所述測溫裝置和所述調(diào)控裝置均固設(shè)于所述爐體內(nèi)側(cè)，且所述調(diào)控裝置繞設(shè)于所述等徑段的外徑設(shè)置。本實用新型一種可控制硅單晶的體微缺陷密度的單晶爐，通過設(shè)置多組測溫儀以監(jiān)測硅單晶等徑段中不同位置的階梯溫度，并通過設(shè)置不同位置的調(diào)控裝置以保證不同階梯溫度的穩(wěn)定性，提高硅單晶降溫保溫的精準(zhǔn)度，以獲得滿足終端產(chǎn)片質(zhì)量的硅單晶。