一種改善硅片表面自然氧化層厚度的工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210205046.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114649207A 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN114649207A 申請公布日 2022-06-21
分類號 H01L21/311（2006.01）I;H01L21/3105（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;B08B3/08（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 石明;陳杰;楊川毅;劉琦 申請（專利權(quán)）人 中環(huán)領(lǐng)先半導體材料有限公司
代理機構(gòu) 蘇州高專知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 214200江蘇省無錫市宜興經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)東氿大道
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善硅片表面自然氧化層厚度的工藝，其改善工藝包括以下步驟：S1、首先需要進行準備適量的氨水、雙氧水和水實時備用，將準備好的氨水、雙氧水和水進行藥液混合配液，將氨水、雙氧水和水混合液調(diào)整配比至一定的藥液濃度，并且選用low cop的單晶加工一定直徑的半導體產(chǎn)品進行實時備用，S2、然后需要進行使用low cop的單晶加工至最終清洗前，并且選取6組實驗所需的硅片，并將第一組實驗設(shè)定為現(xiàn)有的工藝，將第二組實驗僅僅改變一槽HF的清洗時間。本發(fā)明所述的工藝改善在FTIR測試膜厚參數(shù)模式下,卡控氧化層厚度的加工工藝，具備改善硅片表面自然氧化層薄、氧化層均勻性好的優(yōu)點，有效提高了半導體硅片產(chǎn)品的國際市場競爭力。