一種模擬功率型開關(guān)管寄生電容預(yù)調(diào)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201811122782.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN109239566B | 公開（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申請公布號(hào) | CN109239566B | 申請公布日 | 2021-08-24 |
| 分類號(hào) | G01R31/26 | 分類 | 測量；測試; |
| 發(fā)明人 | 蘇亮;齊志坤;吳發(fā)龍 | 申請（專利權(quán)）人 | 保定四方三伊電氣有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京智繪未來專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張紅蓮 |
| 地址 | 100085 北京市海淀區(qū)上地信息產(chǎn)業(yè)基地四街9號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 在驅(qū)動(dòng)級(jí)開關(guān)管在對功率型開關(guān)管驅(qū)動(dòng)的調(diào)試過程中，由于功率型開關(guān)管電容參數(shù)的影響，經(jīng)常使功率型開關(guān)管MOSFET管柵極驅(qū)動(dòng)電路電壓輸出額定電壓值與實(shí)際柵極驅(qū)動(dòng)電壓出現(xiàn)差異。影響功率型MOSFET管工作效果的同時(shí)，還要進(jìn)行后期電路的反復(fù)調(diào)整，在半橋及全橋的電路應(yīng)用中，由于柵極驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)的配合由于柵源極寄生電容存在及寄生電容容值偏移的影響，引起柵極驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)出現(xiàn)畸變，甚至出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)級(jí)MOSFET管損壞情況。本發(fā)明提供了一種調(diào)試方法，通過使用電容模擬功率型開關(guān)管寄生電容來進(jìn)行驅(qū)動(dòng)級(jí)MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)的預(yù)調(diào)，通過這個(gè)方法縮短研發(fā)調(diào)試周期，并降低調(diào)試過程中由于失誤造成的損失。 |
