一種模擬功率型開關管寄生電容預調(diào)驅(qū)動信號的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811122782.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109239566B 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN109239566B 申請公布日 2021-08-24
分類號 G01R31/26 分類 測量；測試;
發(fā)明人 蘇亮;齊志坤;吳發(fā)龍 申請（專利權(quán)）人 保定四方三伊電氣有限公司
代理機構(gòu) 北京智繪未來專利代理事務所（普通合伙） 代理人 張紅蓮
地址 100085 北京市海淀區(qū)上地信息產(chǎn)業(yè)基地四街9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 在驅(qū)動級開關管在對功率型開關管驅(qū)動的調(diào)試過程中，由于功率型開關管電容參數(shù)的影響，經(jīng)常使功率型開關管MOSFET管柵極驅(qū)動電路電壓輸出額定電壓值與實際柵極驅(qū)動電壓出現(xiàn)差異。影響功率型MOSFET管工作效果的同時，還要進行后期電路的反復調(diào)整，在半橋及全橋的電路應用中，由于柵極驅(qū)動電壓信號的配合由于柵源極寄生電容存在及寄生電容容值偏移的影響，引起柵極驅(qū)動電壓信號出現(xiàn)畸變，甚至出現(xiàn)驅(qū)動級MOSFET管損壞情況。本發(fā)明提供了一種調(diào)試方法，通過使用電容模擬功率型開關管寄生電容來進行驅(qū)動級MOSFET驅(qū)動信號的預調(diào)，通過這個方法縮短研發(fā)調(diào)試周期，并降低調(diào)試過程中由于失誤造成的損失。