一種高溫稀硫酸濃縮氟硅酸的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911420908.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN111017931A 公開(kāi)(公告)日 2020-04-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN111017931A 申請(qǐng)公布日 2020-04-17
分類(lèi)號(hào) C01B33/10;B01D1/22;B01D3/06 分類(lèi) 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 吳興前;何勇崗;張楠;燕如勇;高亮 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 貴州甕福藍(lán)天氟化工股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 貴陽(yáng)東圣專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)有限公司 代理人 袁慶云
地址 550501 貴州省黔南布依族苗族自治州福泉市馬場(chǎng)坪迎賓路11號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種高溫稀硫酸濃縮氟硅酸的方法,包括:以質(zhì)量濃度為10?20%的稀氟硅酸連續(xù)進(jìn)料、進(jìn)料流量為5?35m3/h與排液泵輸送來(lái)的循環(huán)濃氟硅酸30?50m3/h一起進(jìn)入降膜蒸發(fā)器;降膜蒸發(fā)器殼層內(nèi)通入70?135℃高溫稀硫酸介質(zhì),對(duì)降膜蒸發(fā)器內(nèi)的氟硅酸進(jìn)行加熱濃縮蒸發(fā)時(shí)間2?10s;氟硅酸加熱溫度控制在50?58℃,78?90kPa真空度下,在降膜蒸發(fā)器下部的閃蒸槽內(nèi)水蒸汽與濃氟硅酸進(jìn)行分離,濃氟硅酸留在閃蒸槽內(nèi),水蒸汽引出閃蒸槽。本發(fā)明能耗低,無(wú)廢棄物排放,既降低了成本,又使得工業(yè)化生產(chǎn)時(shí)無(wú)需新鮮熱源加入。