一種等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置和沉積方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210611927.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114686860A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114686860A 申請公布日 2022-07-01
分類號 C23C16/505（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 孫文彬;劉龍龍 申請（專利權(quán)）人 無錫邑文電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 226400江蘇省南通市如東縣掘港街道金山路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置和沉積方法，涉及氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域。該裝置包括框架、氣箱、射頻匹配器、氣體分配機(jī)構(gòu)及沉積機(jī)構(gòu)；射頻匹配器與氣箱連通，用于處理氣箱輸出的氣體；氣體分配機(jī)構(gòu)用于接收射頻匹配器處理后的氣體；沉積機(jī)構(gòu)包括六個(gè)噴淋件、加熱盤及六個(gè)晶圓工作件；每個(gè)噴淋件均通過氣管與氣體分配機(jī)構(gòu)連通；加熱盤能相對框架轉(zhuǎn)動；六個(gè)晶圓工作件間隔設(shè)置于加熱盤，用于安裝晶圓，每個(gè)晶圓工作件能在加熱盤相對框架轉(zhuǎn)動時(shí)依次與六個(gè)噴淋件相對，且每個(gè)晶圓均被配置為依次經(jīng)過六個(gè)噴淋件分批次多次薄膜沉積，以使晶圓表面的薄膜在多次沉積后達(dá)到預(yù)設(shè)厚度。該裝置通過分批次多次沉積能提高晶圓薄膜沉積過程的均勻性。