硼酸基修飾的負電荷碳點在制備抗革蘭氏陰性菌藥物中的應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210284146.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114681484A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114681484A 申請公布日 2022-07-01
分類號 A61K33/44（2006.01）I;A61K47/54（2017.01）I;A61P31/04（2006.01）I;C01B32/15（2017.01）I 分類 醫(yī)學或獸醫(yī)學；衛(wèi)生學;
發(fā)明人 劉梅;馬玥;孫兆萌 申請（專利權）人 陜西師范大學
代理機構 西安永生專利代理有限責任公司 代理人 -
地址 710062陜西省西安市長安南路199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硼酸基修飾的負電荷碳點在制備抗革蘭氏陰性菌藥物中的應用，所述硼酸基修飾的負電荷碳點合成方便，與正電荷碳點相比具有更好的生物相容性和低細胞毒性。基于革蘭氏陰性菌和革蘭氏陽性菌的細胞壁結構不同，硼酸基修飾的負電荷碳點對革蘭氏陰性菌表現(xiàn)出更明顯的殺菌作用。硼酸基團由于能夠與細菌細胞表面糖蛋白的二醇基團形成可逆的共價鍵，從而明顯增強負電荷碳點的抗菌性能，對革蘭氏陰性菌的最小殺菌濃度達到了12.5μg/mL；同時，在HeLa細胞中加入250μg/mL抗菌藥物培養(yǎng)24h后，細胞活力保持在85％以上。因此本發(fā)明方法成功提高了負電荷碳點對于革蘭氏陰性菌的殺菌性能并且相較于正電荷碳點具有更低的細胞毒性。