硼酸基修飾的負(fù)電荷碳點(diǎn)在制備抗革蘭氏陰性菌藥物中的應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210284146.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114681484A | 公開（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114681484A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類號(hào) | A61K33/44（2006.01）I;A61K47/54（2017.01）I;A61P31/04（2006.01）I;C01B32/15（2017.01）I | 分類 | 醫(yī)學(xué)或獸醫(yī)學(xué)；衛(wèi)生學(xué); |
| 發(fā)明人 | 劉梅;馬玥;孫兆萌 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 陜西師范大學(xué) |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安永生專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 710062陜西省西安市長(zhǎng)安南路199號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種硼酸基修飾的負(fù)電荷碳點(diǎn)在制備抗革蘭氏陰性菌藥物中的應(yīng)用，所述硼酸基修飾的負(fù)電荷碳點(diǎn)合成方便，與正電荷碳點(diǎn)相比具有更好的生物相容性和低細(xì)胞毒性?；诟锾m氏陰性菌和革蘭氏陽(yáng)性菌的細(xì)胞壁結(jié)構(gòu)不同，硼酸基修飾的負(fù)電荷碳點(diǎn)對(duì)革蘭氏陰性菌表現(xiàn)出更明顯的殺菌作用。硼酸基團(tuán)由于能夠與細(xì)菌細(xì)胞表面糖蛋白的二醇基團(tuán)形成可逆的共價(jià)鍵，從而明顯增強(qiáng)負(fù)電荷碳點(diǎn)的抗菌性能，對(duì)革蘭氏陰性菌的最小殺菌濃度達(dá)到了12.5μg/mL；同時(shí)，在HeLa細(xì)胞中加入250μg/mL抗菌藥物培養(yǎng)24h后，細(xì)胞活力保持在85％以上。因此本發(fā)明方法成功提高了負(fù)電荷碳點(diǎn)對(duì)于革蘭氏陰性菌的殺菌性能并且相較于正電荷碳點(diǎn)具有更低的細(xì)胞毒性。 |
