讀取電路及非易失性存儲器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110682458.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113257322B | 公開(公告)日 | 2021-10-08 |
申請公布號 | CN113257322B | 申請公布日 | 2021-10-08 |
分類號 | G11C16/26;G11C16/24;G11C16/08;G11C16/30 | 分類 | 信息存儲; |
發(fā)明人 | 蔡曉波;任建軍 | 申請(專利權(quán))人 | 上海億存芯半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 黃海霞 |
地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)盛夏路608號2幢105室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種非易失性存儲單元的讀取電路,包括用于與存儲單元連接的位線,與所述位線連接的讀出電路,以從所述存儲單元讀取數(shù)據(jù),與所述讀出電路連接的感測電路,用于將所述存儲單元的漏電流和所述讀出電路的參考電流疊加作為新參考電流,以消除漏電流的影響,提高了讀取數(shù)據(jù)的可靠性。本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用非易失性存儲單元的讀取電路的非易失性存儲器。 |
