集成的存儲單元及存儲陣列

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110803438.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113270128B 公開（公告）日 2021-11-09
申請公布號 CN113270128B 申請公布日 2021-11-09
分類號 G11C11/409（2006.01）I;H01L27/11（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 袁慶鵬;蔡曉波;張思萌;張新龍 申請（專利權）人 上海億存芯半導體有限公司
代理機構 上海恒銳佳知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 黃海霞
地址 201203上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)盛夏路608號2幢105室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種集成的存儲單元，所述存儲單元包括靜態(tài)隨機訪問存儲單元；非易失性存儲單元，非易失性存儲單元包括第一存儲晶體管和第二存儲晶體管；選通單元，選通單元包括第一選通NMOS管和第二選通NMOS管，第一選通NMOS管和第二選通NMOS管用于使所述非易失性存儲單元內(nèi)的數(shù)據(jù)加載至所述靜態(tài)隨機訪問存儲單元，采用第一選通NMOS管和第二選通NMOS管作為非易失性存儲單元的控制管，節(jié)省了存儲器的總體面積，兼容非易失性存儲單元的擦除、編程和讀取操作，靜態(tài)隨機訪問存儲單元和非易失性存儲單元之間數(shù)據(jù)轉移可靠性高。本發(fā)明還提供一種存儲陣列，所述存儲陣列包括至少一個所述集成的存儲單元。