鍍膜設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023145825.2 申請日 -
公開（公告）號 CN214115717U 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN214115717U 申請公布日 2021-09-03
分類號 C23C14/56（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 黎微明;李翔;吳興華 申請（專利權(quán)）人 江蘇微導納米科技股份有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 周昭
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)漓江路11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種鍍膜設備，在進行異質(zhì)結(jié)太陽能電池的鍍膜時，第一鍍膜機構(gòu)、第二鍍膜機構(gòu)及第三鍍膜機構(gòu)分別實現(xiàn)I層、p層及n層的鍍設。硅片在第一運輸組件的帶動勻速通過第一鍍膜腔體，從而在兩面形成I層；接著，基片依次進入第二鍍膜腔體及第三鍍膜腔體，從而得到p層及n層。在第二鍍膜腔體及第三鍍膜腔體內(nèi)，工藝參數(shù)可單獨進行調(diào)整，從而得到所需的窗口層以保證轉(zhuǎn)換效率。由于硅片兩側(cè)的I層成分相同，故可以在第一鍍膜腔體內(nèi)同時成型。而且，I層鍍膜時的工藝參數(shù)保持恒定，故多個硅片可以連續(xù)通過第一鍍膜腔體，從而實現(xiàn)I層的連續(xù)動態(tài)的鍍膜。因此，第一鍍膜腔體的利用率顯著提升，故上述鍍膜設備的產(chǎn)能的以提高。