用于串聯(lián)VCSEL陣列的系統(tǒng)和方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201980101161.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN114667653A | 公開（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申請公布號 | CN114667653A | 申請公布日 | 2022-06-24 |
| 分類號 | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/42（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 姜烔錫;錫瓦庫馬爾·蘭卡;賀永祥;汪洋 | 申請（專利權(quán)）人 | 深圳循光科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 深圳市順天達專利商標代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000廣東省深圳市光明新區(qū)邦凱路9號1棟2樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種VCSEL陣列（200），包括形成在單個芯片上的串聯(lián)VCSEL子陣列（1，2，3）。每個VCSEL子陣列（1，2，3）包括在半絕緣層（213）上制造的VCSEL發(fā)射器。VCSEL的N?金屬層（202，205）通過金屬結(jié)構(gòu)（210）與相鄰VCSEL的P?金屬層（204,207）電接觸。VCSEL子陣列的公共陰極觸點電連接于相鄰VCSEL子陣列的公共陽極觸點。為了減少泄漏，半絕緣層（213）的帶隙能級高于輸出光束的光子能量。 |
