耐高壓功率二極管器件
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202020886235.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN211858642U | 公開(公告)日 | 2020-11-03 |
申請公布號 | CN211858642U | 申請公布日 | 2020-11-03 |
分類號 | H01L23/495(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 廖兵;沈禮福 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州達(dá)晶微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 王健 |
地址 | 215163江蘇省蘇州市高新區(qū)科技城培源路2號微系統(tǒng)園M1-204 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型公開一種耐高壓功率二極管器件,其金屬基座的上表面具有2個支撐部,所述2個二極管芯片位于金屬基座正上方并且其各自同極性一端分別通過焊錫層與金屬基座的2個支撐部電連接,位于金屬基座下端的第一引腳部從環(huán)氧封裝層內(nèi)延伸出;所述引線架進(jìn)一步包括橫金屬板和分別位于橫金屬板兩端的第一豎金屬板和第二豎金屬板,所所述環(huán)氧封裝層的下表面且位于2個所述第二引腳部左右側(cè)均開有至少一個第一凹槽,所述環(huán)氧封裝層的下表面且位于第一引腳部前后側(cè)均開有至少一個第二凹槽。本實用新型既有利于進(jìn)一步降低器件的體積和占用PCB電路板的面積,也有利于快速將二極管芯片熱量擴(kuò)散出。?? |
